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台积电:6纳米将在明年底量产,N7+良率已经和N7接近

2019-11-02 11:03:12 4425
摘要:台积电指出,n7+的成功得益于7纳米制程技术的成熟,也为6纳米和更先进的制程奠定了良好基础。台积电表示,n7+的量产速度为史上量产速度最快的制程之一,于2019年第二季开始量产,在7纳米制程技术量产超

(观察家网络新闻)10月7日,TSMC宣布7纳米工艺技术(n7)强大的N7+版本帮助客户大量进入市场,成为历史上最快的大规模生产工艺之一。6纳米工艺技术也将在2020年第一季度进入试生产,并计划在年底前进入大规模生产。

TSMC指出,n7+的成功得益于7纳米工艺技术的成熟,为6纳米及更先进的工艺奠定了良好的基础。TSMC表示,n7+的量产速度是量产史上最快的速度之一,量产将于2019年第二季度开始。经过一年多的大规模生产,n7+的产量与n7相当接近。

n7+工艺的逻辑密度比n7工艺高15%-20%,同时降低了功耗,使其成为业内下一波产品中更受欢迎的工艺选择。TSMC也在迅速扩大生产能力,以满足客户需求。

业内人士指出,苹果iphone 11上的a13仿生应用处理器和华为海斯宣布的麒麟990手机芯片都是由TSMC n7+批量生产的。此外,英伟达和amd还将引入n7+工艺,在明年之后批量生产新一代芯片。

TSMC说,euv光刻技术使TSMC能够不断推动芯片小型化,因为euv较短的波长可以更好地分析先进工艺的设计。TSMC的euv设备已经达到成熟生产的实力,euv设备也达到了大规模生产的目标,日常运行输出功率超过250瓦。

TSMC业务发展副总经理张萧蔷表示,人工智能和5g的应用为芯片设计开辟了更多的可能性。TSMC客户充满创新和领先的设计理念,需要TSMC的技术和制造能力来实现这些理念。

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